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Solitron Devices SD11740超低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2024-02-05 12:06:18 瀏覽：650

　　Solitron Devices 推出的SD11740是1200V 碳化硅 (SiC)、低 RDS(on) MOSFET。

Solitron Devices SD11740超低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET

　　作為對(duì)高可靠性/軍事應(yīng)用的高壓MOSFET的強(qiáng)大供應(yīng)的補(bǔ)充，Solitron正在擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品供應(yīng)，以滿足要求苛刻的商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用。該SD11740采用 SOT-227 封裝，提供 8.6mΩ 的超低 RDS(on)。

　　SOT-227 型封裝的加入使 Solitron 的 SiC 產(chǎn)品能夠在電動(dòng)汽車、功率控制器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、感應(yīng)加熱、固態(tài)斷路器和高壓電源中實(shí)現(xiàn)更高功率的應(yīng)用。該SD11740提供 120A 的連續(xù)漏極電流。SOT-227 與銅散熱器基座具有 3kV 隔離功能，可實(shí)現(xiàn)出色的低熱阻。該器件提供真正的開(kāi)爾文柵極連接，以實(shí)現(xiàn)最佳柵極控制。任一發(fā)射極端子均可用作主發(fā)射器或開(kāi)爾文發(fā)射器。

　　該SD11740設(shè)計(jì)用作功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，其性能優(yōu)于硅基MOSFET和IGBT。標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許真正直接替代硅IGBTS和MOSFET，具有更優(yōu)越的性能。超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性使它們非常適合開(kāi)關(guān)感性負(fù)載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。

　　關(guān)鍵特性

　　I D = 100A

　　RDS(ON) = 8.6mΩ

　　低柵極電荷

　　開(kāi)爾文源

　　SOT 227B

　　好處

　　無(wú)熱失控的并聯(lián)裝置

　　更高的系統(tǒng)效率

　　出色的反向采收率

　　應(yīng)用

　　高效率的轉(zhuǎn)換器和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)